IRIS_URV - Sistema d’Informació de la Recerca i la Innovació
  • Idioma
    • Catalá
    • Anglès
    • Espanyol
  • Accés
    • Accés investigadors
    • Accés administradors

» iPublic » Perfil de l'investigador


LIME, FRANÇOIS GILBERT MARIE

iMarina ID: 04-322078
Departament
Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica.
Universitat Rovira i Virgili.
Tarragona
Grup
NanoElectronic and PHOtonic Systems (NEPHOS) (2017 SGR 01527).
Universitat Rovira i Virgili.
Tarragona
Codis d'identificació

Trajectòria professional

  • Cronologia
  • Reconeixements Investigació
  • Reconeixements Docents
  • Transferència
Cronologia
setembre de 2016
Professorat agregat
Universitat Rovira i Virgili. Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica

   2016 -

setembre de 2016
Professorat Agregat. Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili

   2016 - 2020

desembre de 2013
Professorat Agregat Interí. Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili

   2013 - 2016

desembre de 2008
Personal Investigador Ramon y Cajal. Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili

   2008 - 2013

gener de 2006
Investigador amb experiència. Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili

   2006 - 2006

Reconeixements Investigació

Sexennis

1
Any últim Sexenni:

Reconeixements Docents
Transferència

Publicacions

  • Indicadors bibliomètrics
  • Publicacions
  • Visibilitat
  • Temàtiques més freqüents
Indicadors bibliomètrics

Index H


15
WOS (2021-02-12)
15
Scopus (2021-02-15)
14
Publons (2020-11-16)

Cites


584
WOS (2021-02-12)
588
Scopus (2021-02-15)
569
Publons (2020-11-16)

Percentatge en Q1

Percentatge en D1


Publicacions

Total publicacions:66

24

Articles | Reviews

42

Llibres

Visibilitat

Presència en bases de dades


48
WOS (2021-02-12)
64
Scopus (2021-02-15)
48
Publons (2020-11-16)
1
Dialnet(2021-02-17)
Temàtiques més freqüents
Temáticas

Congressos

  • Congressos
  • País de l'activitat
Congressos

Total congress : 41

19

Poster

21

Ponencia

1

Comunicacio

País de l'activitat

Projectes

  • Projectes participats
Projectes participats

Direcció y participació en projectes

IP

NO IP

Grups, xarxes

  • Grups, xarxes
Grups, xarxes

NanoElectronic and PHOtonic Systems (NEPHOS) (2017 SGR 01527)

Docència

  • Activitat docent
  • Assignatura/Curs
Activitat docent

Tesi Dirigides


2

Centres


  • Universitat Rovira i Virgili

Assignatura/Curs

Transferència i impacte social

  • Font d'impacte, altres
  • Publicacions en Altmetrics
Font d'impacte, altres

Altmetrics

Publicacions en xarxes socials: 2 / 38
Porcentaje:5.26%
Puntuació:
3.25
Puntuació mitjana:
3.25/38=0.086

Publicacions en Altmetrics
2020Direct Source-to-Drain Tunneling Current in Ultra-Short Channel DG MOSFETs by Wa...
2019Evaluation of Static/Transient Performance of TFET Inverter Regarding Device Par...
2019Equivalent Length Concept for Compact Modeling of Short-Channel GAA and DG MOSFE...
2019Analytical modeling of capacitances in tunnel-FETs including the effect of Schot...
2019A Complete Charge-Based Capacitance Model for IGZO TFTs
2018Effect of Schottky barrier contacts on measured capacitances in tunnel-FETs
2017Non-iterative NEGF based model for band-to-band tunneling current in DG TFETs
2017A compact explicit DC model for short channel Gate-All-Around junctionless MOSFE...
2017Crystalline-like temperature dependence of the electrical characteristics in amo...
2017DC/AC Compact Modeling of TFETs for Circuit Simulation of Logic Cells Based on a...
2017Compact modeling of intrinsic capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs
2017A quantum wave based compact modeling approach for the current in ultra-short DG...
2016A complete Verilog-A Gate-All-Around junctionless MOSFET model
2016Modeling approach for rapid NEGF-based simulation of ballistic current in ultra-...
2015A complete and Verilog-A compatible Gate-All-Around long-channel junctionless MO...
2015Experimentally verified drain-current model for variable barrier transistor
2015A simple analytical Variable Barrier Transistor drain current model
2014Compact modeling of double and Tri-Gate MOSFETs
2014A compact explicit model for long-channel gate-all-around junctionless MOSFETs. ...
2014A compact explicit model for long-channel gate-all-around junctionless MOSFETs. ...
2013Compact Models for Advanced CMOS Devices
2013A simple compact model for the junctionless Variable Barrier Transistor (VBT)
2013Modeling of low frequency noise in FD SOI MOSFETs
2013Compact modeling of double and tri-gate MOSFETs
2013A simple compact model for long-channel junctionless Double Gate MOSFETs
2012Temperature dependence of terahertz radiation detection by field effect transist...
2012Gate leakage current partitioning in nanoscale double gate MOSFETs, using compac...
2012Temperature enhancement of terahertz responsivity of plasma field effect transis...
2011Low frequency noise modeling of SOI MOSFETs using Green's function approach
20113D analytical modelling of subthreshold characteristics in vertical Multiple-gat...
2011Study of potential high-k dielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeli...
2011A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin bo...
2011Analytical modeling of direct tunneling current through gate stacks for the dete...
2011A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI ...
2011Analytical modelling of Multiple-gate MOSFETs
2011A surface potential based compact model for lightly doped FD SOI MOSFETs with ul...
2011New numerical low frequency noise model for front and buried oxide trap density ...
2011Compact analytical modeling of the gate leakage current partitioning for Double ...
20103D analytical modelling of subthreshold characteristics in Pi-gate FinFET transi...
2010Analytical modeling of the gate tunneling leakage for the determination of adequ...
2010Parasitic Back-Inferface Conduction in Planar and Triple-Gate SOI Transistors
2010An innovative NEMS pressure sensor approach based on heterostructure nanowire
2009Analytical modeling of the gate tunneling leakage for the determination of adequ...
20092D compact modeling of the threshold voltage in triple- and Pi-gate transistors
2009Finite elements study of high mechanical stress in nanostructures for innovative...
2008A quasi-two-dimensional compact drain-current model for undoped symmetric double...
2006Electrical studies of semiconductor-dielectric interfaces
2006Low temperature characterization of effective mobility in uniaxiallyand biaxiall...
2005Experimental and comparative investigation of low and high field transport in su...
2005Low temperature characterization of effective mobility in uniaxially and biaxial...
2003Characterization of effective mobility by split C(V) technique in N-MOSFETs with...
2003Carrier mobility in advanced CMOS devices with metal gate and HfO2 gate dielectr...
2003New approach for the gate current source-drain partition modeling in advanced MO...
2003Charge trapping in SiO2/HfO2/TiN gate stack
2003Metal gate and high-k integration for advanced CMOS devices (invited paper)
2003Investigation of electron and hole mobilities in MOSFETs with TiN/HfO2/SiO2 gate...
2001Stress induced leakage current at low field in ultra thin oxides
2001Impact of gate tunneling leakage on the operation of NMOS transistors with ultra...

Col·laboració

  • Col·laboracions institucionals darrers 5 anys
Col·laboracions institucionals darrers 5 anys

Resultats i activitat

  • Resultats i activitat
Resultats i activitat
Título:
Autores:
Afiliación:
Fuente:
Disciplina:
Palabras clave:
Indicios de calidad:
id ítem Tipo Año IF (JCR) IF (SJR)
id ítem Tipo Año IF(JCR) IF(SJR)
iMarina Information Systems Consulting Information Systems Consulting iMarina © 2021.
Termes legals
Suport tècnic: ihelp@scimarina.com
El CVN s’està generant. Aquest procés pot trigar uns minuts, espereu que acabi el procediment complet o la descàrrega del CVN s’interromprà. Recordeu que si disposa d’un currículum extens l’exportació de PDF pot arribar a trigar un temps considerable. Qualsevol problema a la descàrrega contacti amb oficina tècnica de iMarina.

Hi ha hagut un problema en generar l’informe. Toreu-ho a provar més tard.