Benjamin
BI

Benjamin

Iñiguez Nicolau

Àrees d'Activitat

Línies de recerca (descripció breu)

Perfil general
Modelat de TFTs orgànics i de polímers
Modelat de transistors SOI nanomètrics (Double-gate i Quantum Wire)
Modelat de micro- i nano-cristalline TFTs
Estudi dels dispositius double-gate SOI MOSFET
Modelat de transistors Fully-Depleted SOI MOS
Modelat de transistors MOS de canal curt

Formació acadèmica

Trams de docència
1
Último concedit: 2004
Trams de transferència
8
Último concedit: 2013
Trams de investigació
1
Último concedit: 2017

Publicacions

Agències
Núm. Documents
Núm. Cites
h-index
Q1
D1
WoS
April 2024
168
2580
26
52
15
Scopus
April 2024
210
3026
26
133
115

Evolució

Internacionalizació

Altmetría

Publicacions en xarxes socials: 1 / 39
Percentatge: 2.56%
Puntuació: 3
Puntuació mitjana:
3 / 39 = 0.077
Tesi doctoral
23

Assignatura/Curs

Grup de Recerca

Xarxa de Col·laboració

Producció